GaN EPI Wafer

GaN Process Wafer

GaN FET

先進鍍膜技術

GaN FET 4 大優勢 

作為一家專注於科技創新的公司,鴻鎵科技致力於為客戶提供最優質的解決方案和產品。在功率半導體領域中,我們一直在關注新技術的發展和應用,並不斷投入資源進行研發和創新,從而推出更加優異的產品和解決方案。GaN FET作為一種新型的功率器件,已經顯示出了顯著的優勢,而我們的技術團隊也在這方面進行了深入的研究和應用。

在電源快充、家電、激光雷達、電動車和5G射頻等應用領域中,我們的GaN FET產品可以帶來更高的性能和更優異的使用體驗。我們的產品已經成功應用於多個客戶的產品中,得到了廣泛的認可和好評。我們將繼續不斷優化和改進我們的GaN FET產品,以滿足客戶的需求和期望。相信我們的GaN FET產品未來將會在更多的應用領域中發揮作用,成為未來高效能應用的重要組成部分。

FigureP/NConfigurationVDS(V)RDS(on) (mΩ)IDS(max) (A)PackageStatusDatasheet
GPT65Z3YMR
Cascode
650V
245mΩ
9A
DFN8080
Mass Production
GPT65Z4YMR
Cascode
650V
130mΩ
18A
DFN8080
Mass Production
GPT65Z4WMR
Cascode
650V
130mΩ
23A
TO220
Small Volume Production
GPT65Z6YMR
Cascode
650V
245mΩ
8A
DFN5060
Small Volume Production

GPT GaN FET|製造程序

6″ EPI

磊晶|MOCVD

6″ Wafer

晶圓製造|晶背研磨及金屬化點測

wafer die

切割 & 崩裂

fets

封裝

Applications

電路設計