GaN EPI Wafer

GaN Process Wafer

GaN FET

GaN PD Charger

先進鍍膜技術

GaN FET 4 大優勢 

作為一家專注於科技創新的公司,鴻鎵科技致力於為客戶提供最優質的解決方案和產品。在功率半導體領域中,我們一直在關注新技術的發展和應用,並不斷投入資源進行研發和創新,從而推出更加優異的產品和解決方案。GaN FET作為一種新型的功率器件,已經顯示出了顯著的優勢,而我們的技術團隊也在這方面進行了深入的研究和應用。

在電源快充、家電、激光雷達、電動車和5G射頻等應用領域中,我們的GaN FET產品可以帶來更高的性能和更優異的使用體驗。我們的產品已經成功應用於多個客戶的產品中,得到了廣泛的認可和好評。我們將繼續不斷優化和改進我們的GaN FET產品,以滿足客戶的需求和期望。相信我們的GaN FET產品未來將會在更多的應用領域中發揮作用,成為未來高效能應用的重要組成部分。

FigureP/NConfigurationVDS(V)RDS(on) (mΩ)IDS(max) (A)PackageStatusDatasheet
GPT65Z3YMR
Cascode
650V
245mΩ
9A
DFN8080
Mass Production
GPT65Z4YMR
Cascode
650V
130mΩ
18A
DFN8080
Mass Production
GPT65Z4WMR
Cascode
650V
130mΩ
23A
TO220
Small Volume Production

GPT GaN FET|製造程序

6″ EPI

磊晶|MOCVD

6″ Wafer

晶圓製造|晶背研磨及金屬化點測

wafer die

切割 & 崩裂

fets

封裝

Applications

電路設計