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訊息公告- 2021/09/09發佈

第三代半導體產品核心技術介紹

  1.  第三代半導體材料 氮化鎵/碳化矽 產品
    • 氮化鎵功率元件(GaN/Si FET)-電源供應器零件、太陽能電廠逆變器設施。
    • 氮化鎵/碳化矽磊晶片(GaN/SiC)-無線通訊基礎設施、5G基地台。
    • 碳化矽磊晶片(SiC)-電動車充電樁設施。
  2. 氮化鎵與現有Si產品電源優勢比較
    • 氮化鎵材料：能源耗損少15%、功率高充電速度快40%、體積縮小50%。
  3. 鴻鎵公司技術能力優勢
    • 鴻鎵GaN/Si技術可應用手機快充電源、白色家電電源、無人機和電動輔助自行車的電池充電器及馬達控制器、物聯網應用電源及伺服器的冗餘式電源等。
    • GaN/SiC磊晶核心技術，可配合功率放大器IC設計公司，共同開發5G基地台及無線通訊基礎設施所需之功率放大器。
  4. 鴻鎵科技完成核心價值鏈
    • GaN/Si 具電源電路設計能力，對電源應用已掌握通路及相關供應鏈。
    • GaN/SiC 磊晶技術應用在高頻元件，目前客戶購買樣品測試中。
  5. 產品發展藍圖
    • 2022~2023年：開發量產GaN/Si FET在30W~200W電源應用。
    • 2023~2024年：開發量產8〞GaN/Si E-mode 磊晶片及650V E-mode Chip在12-60W網通電源應用。
    • 2024~2025年：開發量產8〞GaN/Si 200V以下E-mode Chip在直流無刷馬達的馬達控制器應用。
  6. 鴻鎵公司的產能規模可供手機、平板電腦、筆電快充電源及相關設備電源的需求
    • 目前MOCVD機台，年產3,000片磊晶片, 可供1,000萬台電源充電器。而2023年MOCVD年產將會有6,000片磊晶片可供2,000萬台電源充電器。
    • 全球每年新手機銷售量約12億台，筆電1.6億台。
  7.  第三代半導體應用市場產值成長快速，2025總年產值達10億美元, 鴻鎵科技具有第三代半導體關鍵磊晶技術，及製程封裝上下游整合專業技術，是最具有市場競爭力第三代半導體廠商。