關於我們

氮化鎵半導體技術人員
&
強大的電路設計人才組成技術團隊

2018年公司設立，登記資本額新台幣5億元。生產基地在竹南科學園區，EPI產能為3,000片/年以上。

從日本 NTTAT公司技轉6吋與8吋的氮化鎵功率磊晶技術來生產氮化鎵功率電晶體。

產品以GaNFETs 650V（DFN，TO220）為主，專利數量超過35個。

銷售EPI/ Process Wafer/ GaN FET並提供代工服務。

鴻鎵科技股份有限公司本公司是由前廣鎵光電公司資深的氮化鎵半導體技術人員和強大的電路設計人才組成技術團隊。

磊晶技術除了持續開發耐壓650V外，為了因應更多的產品應用，也將開發耐壓200V以下的，並且持續與NTT AT密切合作，應用其技術，研發更多的新產品。並且與NTTAT研發合作不間斷，持續研發新產品。

GPT GaN FET應用於38W、45W、65W PD電源快充方案已完成。
GPT技術目標為研發最佳EPI 及 FET功率元件供應市場。
GPT在GaN on Si 磊晶、晶圓製程、BGBM、點測、封裝FET元件、電源管理方案設計等工程整合僅花2年時間開發，此成功經驗可提供結盟同業快速建立第三代半導體供應鏈。

鴻鎵GaN第三代半導體廠商各項優勢快速組合，建立產業策略聯盟共同開發市場，第三代半導體將成為另一座護國神山。