GaN EPI Wafer

GaN Process Wafer

GaN FET

先進鍍膜技術

GaN EPI Wafer 6 大優勢 

GaN EPI Wafer是一種新型的半導體材料,由於其獨特的物理特性,被廣泛應用於高功率、高頻率和高溫度等應用領域。與傳統的半導體材料相比,GaN EPI Wafer具有更高的電子遷移率、較小的電阻和較高的熱穩定性,從而可以實現更高效的能源轉換和更可靠的性能。

我們作為一家專注於半導體技術創新的公司,一直在關注新技術的發展和應用,並投入資源進行研發和創新。我們的GaN EPI Wafer產品已經成功應用於多個高端應用領域,如激光雷達、5G基站和高功率電源等領域。

作為GaN EPI Wafer產品供應商,我們不僅提供高品質的產品,同時還為客戶提供完整的解決方案,以滿足客戶的需求和期望。我們擁有專業的技術團隊和現代化的生產設備,能夠提供從研發、設計到生產和售後服務的全套解決方案,從而確保客戶的成功和產品的品質。

總之,我們的GaN EPI Wafer產品在半導體技術領域中已經得到了廣泛的應用和認可。我們將繼續不斷優化和改進我們的產品和解決方案,以滿足客戶的需求和期望,並為客戶提供更加優質的產品和服務。

圖片P/NSizeBarrier Layer AL CompositionFWHM (0002) ArcsecTotal EPI Thickness (nm)Wafer Bowing (um)Particle Count (ea)PDF
000S06EP01
6" EPI
0.20~0.25±0.02
~750
4200 ±10%
+/-50um
~500
000S08EP01
8" EPI
0.20~0.25 ±0.02
~750
4200 ±10%
+/-80um
~500