鴻鎵與日本電信集團子公司NTT-AT合作，將氮化鎵快充導入日本市場販售，為台灣第一家GaN廠商打入日本知名集團供應鏈系統。並與日本大廠持續合作，開發新款100W氮化鎵快充，估計明年就將問世，未來將再與手機大廠合作，將GaN功率元件導入旗下品牌快充、積極打入國際市場。

另外於半導體技術，鴻鎵也積極布局。隨著AI、電動車、低軌衛星應用，半導體元件全面導入10奈米以下先進製程，然而在封裝過程中，將遇到嚴重靜電效應，生產良率降低等問題；鴻鎵推出全新領先全球耐高溫300℃、具高耐磨特性的抗靜電技術，不僅可應用於GaN封裝製程良率提升，同時為先進半導體產業市場提供高效率、高可靠度的抗靜電解決方案。

鴻鎵科技表示，公司研發團隊長期致力半導體等級新材料研發，其中，最新一代抗靜電技術，可在金屬材料表面形成一層緻密可耐高溫至300℃的抗靜電層，於表面生成高耐磨性且壽命長的奈米級鍍膜，可控制表面電阻值在10⁵到10⁹ Ω，有效防止靜電的累積。該技術不僅在生產過程中提供可靠的防禦，還確保半導體設備在使用中不受到靜電的影響，提高產品的可靠度。

鴻鎵進一步分析，此抗靜電技術除特性優於現有抗靜電技術外，且不受尺寸限制，因此成本相較於現有抗靜電鍍膜技術具競爭力，並可廣泛應用於半導體製造的各製程，包括製造、封裝和測試等環節；目前已送樣封測大廠測試中，預估明年在先進鍍膜業績將會迅速看到成效。

文章出處：工商時報