除GaN功率元件外，鴻鎵獨家開發出耐300度高溫、耐磨達350公尺的抗靜電鍍膜（CAC）技術，不僅已通過SGS認證，更在全球知名半導體大廠測試AI製程治具應用中展現出色表現，有望大幅降低成本達50％，遠勝現有技術。

鴻鎵科技透露，目前半導體製程對抗靜電需求急迫，AI運算、電動車及低軌衛星等高精密領域，若昂貴晶片遭受靜電影響將損失慘重；CAC技術可提供絕佳保護，提高製程良率。

產品品質獲肯定，2023年鴻鎵65W GaN充電器銷往日本電信商NTT-AT，2024年推出台灣版手機充電器，已有多家上市櫃公司樂意將之列為股東會紀念品。鴻鎵科技正全力研發500度高溫CAC，預計明年推出，為AI、電動車及低軌衛星等高精密應用提供最佳靜電防護。

展望未來，鴻鎵科技將持續專注GaN磊晶及CAC抗靜電技術研發，緊貼AI運算及高精密產業脈動，為客戶提供最優質解決方案，全力搶攻AI熱潮所帶來的龐大商機。

文章出處：工商時報

鴻鎵與日本電信集團子公司NTT-AT合作，將氮化鎵快充導入日本市場販售，為台灣第一家GaN廠商打入日本知名集團供應鏈系統。並與日本大廠持續合作，開發新款100W氮化鎵快充，估計明年就將問世，未來將再與手機大廠合作，將GaN功率元件導入旗下品牌快充、積極打入國際市場。

另外於半導體技術，鴻鎵也積極布局。隨著AI、電動車、低軌衛星應用，半導體元件全面導入10奈米以下先進製程，然而在封裝過程中，將遇到嚴重靜電效應，生產良率降低等問題；鴻鎵推出全新領先全球耐高溫300℃、具高耐磨特性的抗靜電技術，不僅可應用於GaN封裝製程良率提升，同時為先進半導體產業市場提供高效率、高可靠度的抗靜電解決方案。

鴻鎵科技表示，公司研發團隊長期致力半導體等級新材料研發，其中，最新一代抗靜電技術，可在金屬材料表面形成一層緻密可耐高溫至300℃的抗靜電層，於表面生成高耐磨性且壽命長的奈米級鍍膜，可控制表面電阻值在10⁵到10⁹ Ω，有效防止靜電的累積。該技術不僅在生產過程中提供可靠的防禦，還確保半導體設備在使用中不受到靜電的影響，提高產品的可靠度。

鴻鎵進一步分析，此抗靜電技術除特性優於現有抗靜電技術外，且不受尺寸限制，因此成本相較於現有抗靜電鍍膜技術具競爭力，並可廣泛應用於半導體製造的各製程，包括製造、封裝和測試等環節；目前已送樣封測大廠測試中，預估明年在先進鍍膜業績將會迅速看到成效。

文章出處：工商時報

鴻鎵科技股份有限公司中科分公司(設立於中部科學園區之台中園區)
本案投資金額約為新台幣2億元，研製第三代半導體─氮化鎵功率磊晶片及氮化鎵功率電晶體等產品，本案公司除自有技術外，並獲日本NTT-AT技轉磊晶技術，從晶片到終端產品，設計、生產、銷售結合多家廠商一貫作業，產品應用於太陽能儲能、新能源車、工業自動化及5G高頻通信等產業，有利於促進中台灣形成高科技產業聚落。

依據TrendForce研究預估，氮化鎵功率元件主要應用為消費性產品，至2025年市場規模將達8.5億美元，2020-2025年複合成長率高達78%，具有相當市場潛力。

文章出處：中部科學園區

鴻鎵科技為國內功率元件領域新生力軍，與日本最大電報與電信公司NTT旗下完全持股子公司NTT－AT合作，技轉氮化鎵（GaN），主攻5G基地台的電源方案，董事長顏宗賢表示，已陸續與供應商合作開發小型化高瓦數氮化鎵電源方案，目前正送樣給系統商認證，預計明年開始能取得不錯的進展。

而面對國際仍持續延燒的肺炎疫情，鴻鎵與NTT合作，使用氮化鎵元件開發高強度UVC殺菌盒，利用UVC深紫外光波長照射達到消毒、滅菌的效果，產品全部台灣製造，已於日本上市銷售。而國內雖疫情趨緩，但防疫不能鬆懈，顏宗賢表示，希望為防疫盡一份心力，日前捐贈30部UVC殺菌盒予臺中慈濟醫院。

各國5G基地台建設如火如荼，國內相關零組件業者多有受惠，鴻鎵鎖定的是其中的電源方案。顏宗賢表示，5G基地台為節省空間及租金，縮小電源尺寸較有利，而使用氮化鎵是目前最有潛力達成目標的解決方案。

鴻鎵科技執副王興燁指出，氮化鎵具有高開關速度、低損耗、小體積等優點，可以有效提升系統效率，並解決元件散熱問題。鴻鎵氮化鎵功率元件已可量產出貨，RF射頻研發中，預計明年可試生產。

王興燁表示，目前全球筆電廠使用氮化鎵FET（場效電晶體）在筆電電源轉換器快充功能上及縮小體積，贏得消費者青睞。而5G基地台射頻裝置及電源、伺服器電源、電動車充電樁及消費性電子產品的快速充電，將是驅動氮化鎵高度成長的關鍵市場。

鴻鎵透過港資企業怡海能達陸續與5G基地台供應商合作開發。怡海能達為日本村田（Murata）代理商，主要銷售村田電容及濾波器給5G相關製造商，如長城電子等數十家5G產品製造商，另外如小米等快充也涵蓋其中。鴻鎵有望藉此快速提升氮化鎵產品於5G基地台電源市佔率，並攻進手機、筆電等快充市場。

資料來源 : 【工商時報】