【台中慈濟醫院】實業家捐贈UVC消毒盒 讓防疫再升級

鴻鎵科技公司捐贈三十部UVC消毒盒給臺中慈濟醫院,讓醫院防護再升級。(賴廷翰攝)

臺中慈濟醫院副院長莊淑婷致詞,感恩顏宗賢董事長的善舉。(賴廷翰攝)

顏董事長分享研發的發心。(賴廷翰攝)

與會人員合影圓滿這次捐贈活動。(賴廷翰攝)

後防疫時期來臨,實業家以行動回饋社會齊心防疫不鬆懈。鴻鎵科技公司投入研發消毒設備有成,10日上午董事長顏宗賢、執行副總王興燁及市政顧問胡幸枝,捐贈三十部UVC消毒盒給臺中慈濟醫院,由副院長莊淑婷、內科部主任宋育民、護理部主任張梅芳代表接受。

COVID-19疫情蔓延全球,各項防疫物資吃緊,酒精、口罩相當稀缺,鴻鎵科技公司董事長顏宗賢也希望能為防疫貢獻心力,以「延長物命」為概念,將自身電源控制技術與國外合作夥伴結合,利用UVC深紫外光波長照射達到消毒、滅菌的效果,設計出UVC消毒盒。

顏董事長表示,UVC消毒盒除了可以針對個人用口罩、手機、鑰匙等一般物品進行深紫外光消毒之外,對於醫護人員隨身配戴的護目鏡等小型裝備,也可以透過消毒盒UVC紫外光照射數十秒鐘即可完成殺菌消毒。而今天捐贈三十台UVC消毒盒,除了略盡棉薄的社會責任之外,也期望能讓醫院防護再升級。

莊淑婷副院長表示,台灣疫情與國外比較,雖然相對安全,但也不能鬆懈,除了勤洗手、戴口罩,對於隨身物品的消毒也不能忘。莊副院長感恩顏董事長致贈三十台UVC消毒盒,也覺得消毒盒對於醫護人員真的是一個福音,更期待疫情能夠過去,讓大家生活更安心。

資料來源 : 【台中慈濟醫院】

【工商時報】鴻鎵挾氮化鎵搶攻5G電源、UVC防疫盒 拓藍海有成

(鴻鎵科技捐贈30部UVC殺菌盒予臺中慈濟醫院。董事長顏宗賢(後排左七)與執行副總王興燁(後排右六)。

鴻鎵科技為國內功率元件領域新生力軍,與日本最大電報與電信公司NTT旗下完全持股子公司NTT-AT合作,技轉氮化鎵(GaN),主攻5G基地台的電源方案,董事長顏宗賢表示,已陸續與供應商合作開發小型化高瓦數氮化鎵電源方案,目前正送樣給系統商認證,預計明年開始能取得不錯的進展。

而面對國際仍持續延燒的肺炎疫情,鴻鎵與NTT合作,使用氮化鎵元件開發高強度UVC殺菌盒,利用UVC深紫外光波長照射達到消毒、滅菌的效果,產品全部台灣製造,已於日本上市銷售。而國內雖疫情趨緩,但防疫不能鬆懈,顏宗賢表示,希望為防疫盡一份心力,日前捐贈30部UVC殺菌盒予臺中慈濟醫院。

各國5G基地台建設如火如荼,國內相關零組件業者多有受惠,鴻鎵鎖定的是其中的電源方案。顏宗賢表示,5G基地台為節省空間及租金,縮小電源尺寸較有利,而使用氮化鎵是目前最有潛力達成目標的解決方案。

鴻鎵科技執副王興燁指出,氮化鎵具有高開關速度、低損耗、小體積等優點,可以有效提升系統效率,並解決元件散熱問題。鴻鎵氮化鎵功率元件已可量產出貨,RF射頻研發中,預計明年可試生產。

王興燁表示,目前全球筆電廠使用氮化鎵FET(場效電晶體)在筆電電源轉換器快充功能上及縮小體積,贏得消費者青睞。而5G基地台射頻裝置及電源、伺服器電源、電動車充電樁及消費性電子產品的快速充電,將是驅動氮化鎵高度成長的關鍵市場。

鴻鎵透過港資企業怡海能達陸續與5G基地台供應商合作開發。怡海能達為日本村田(Murata)代理商,主要銷售村田電容及濾波器給5G相關製造商,如長城電子等數十家5G產品製造商,另外如小米等快充也涵蓋其中。鴻鎵有望藉此快速提升氮化鎵產品於5G基地台電源市佔率,並攻進手機、筆電等快充市場。

資料來源 : 【工商時報】

2019秋季 USB PD & Type-C亞洲展

鴻鎵結盟日本NTT-AT進駐竹科,以第三代功率元件搶占5G、電動車商機

為因應未來電動車、5G高速通訊等產業對高階電源管理IC及功率放大器的市場需求,鴻鎵科技股份有限公司(簡稱鴻鎵科技)攜手日本NTT-AT公司,開發領先業界650V以上高崩潰電壓矽氮化鎵(GaN-on-Si) 功率元件及碳化矽氮化鎵(GaN-on-SiC)磊晶片,突破歐美日等國際大廠競爭,以高階技術搶占車用電子、AI智慧控制晶片等新興市場商機。
功率半導體元件為電能轉換、電路控制等電源管理之重要零組件,傳統第1代半導體材料矽(Si)、第2代砷化鎵(GaAs)在物理特性限制下,已無法跟進電動車等新興產業的技術要求,因此具寬能隙(Wide Band-gap)特性之碳化矽( SiC)及氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料,以耐高溫、低導通電阻、低切換損失、高頻操作等特性,勢將逐步取代現有砷化鎵材料,成為功率半導體市場亮點。依據Yole Developpement分析,全球碳化矽(SiC)功率半導體市場將從2017年的3.02億美元,快速成長至2023年的13.99億美元,年複合成長率(CAGR)達29%;主要成長推手來自汽車產業對車載充電器(OBC)、直流轉換器、電源管理IC等需求,也成為歐美日等國際大廠兵家必爭之地。
鴻鎵科技於107年12月獨家技術移轉日本NTT-AT公司矽氮化鎵磊晶技術及量產製程設備,對鴻鎵科技的功率半導體元件領先製程技術可說是如虎添翼;鴻鎵科技業於108年3月經科技部核准進駐新竹科學園區,投入矽氮化鎵及碳化矽氮化鎵功率磊晶片及氮化鎵功率電晶體之開發。其中矽氮化鎵(GaN-on-Si)功率電晶體,崩潰電壓可以達到650V以上,相較目前其他國際大廠崩潰電壓在400V以下具有不可取代的競爭優勢,未來將持續朝900V以上的矽氮化鎵功率磊晶片推進,更能滿足大功率馬達與電動車產業的技術需求。此外,開發微波專用碳化矽氮化鎵功率磊晶片,其功率放大器將可取代現行砷化鎵功率元件,跨入5G產業的新應用領域。
鴻鎵科技進駐新竹科學園區後,將在自有技術基礎上結盟日本NTT-AT公司,持續深耕第三代功率半導體元件高階技術研發,亦可結合園區半導體產業鏈的製造與成本優勢,建立氮化鎵磊晶片與元件模組上下游供應鏈,使臺灣在AI智慧控制晶片、車用電子、電動車產業及5G產業中,設立領先技術門檻並在國際市場中搶占重要地位。

相關網站連結:
新竹科學園區

日本報導

日本經濟新聞

【經濟日報】鴻鎵科技取得NTT-AT技轉矽氮化鎵材料產製技術

台灣鴻鎵科技21日與日本NTT-AT公司簽訂專屬合作契約,日本NTT-AT公司技術轉移為矽氮化鎵磊晶技術及量產製程設備,以矽氮化鎵GaN材料應用製造出各式功率元件,這對鴻鎵科技應用矽氮化鎵製成磊晶片及功率元件的領先製程技術可說是如虎添翼,此次合作是雙方長期策略合作的開端,預期未來有更多合作項目。
簽約典禮除雙方最高層級的董事長、社長外,經濟部工業局長呂正華、投審會、日台交流協會、台日關係協會、台灣風能協會等官員、代表均出席見證此重要締約典禮。

鴻鎵科技雖是今年成立新公司,但其主要技術團隊來自前廣鎵光電LED磊晶片及晶粒製造團隊。鴻鎵科技董事長顏宗賢表示,矽氮化鎵材料是半導體關鍵材料,其製成的功率元件,有體積小、功率高的特點,鴻鎵取得NTT-AT授予的關鍵技術,會與合作的上中下游伙伴業者,如何應用矽氮化鎵材料的全新技術,製造出更節能省電、高功高頻的各式變壓應用元件,在廣泛的AI智慧機械人、電信5G基地台、智能家電、電動車等範圍使用,發展前景非常看好,目前應用元件之功率耐壓伏特數從650V開始,將擴展至750V、900V與1,000V。

來台簽約的日本NTT-AT公司本部長界義久表示,矽氮化鎵材料體積小的優勢,將使應用的終端產品體積更小,以及節省裝置的空間,耐高溫、耐高壓的特點也是最佳應用解決方案,另外還有重量輕,應用在電池上,可提升電池續航力。

很多應用矽氮化鎵材料的相關業者也出席此重要台日合作盛會,預計很快就會產生改變與新商機,為台灣電子科技產業注入活水。

【經濟日報】【記者孫震宇報導】