鴻鎵科技5G通訊GAN／SIC磊晶片 明年Q1完成驗證

台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）14日登場，「化合物半導體」為焦點之一。鴻鎵科技展出領先業界的氮化鎵(GaN)e-Bike及無人機馬達應用的IPM（Intelligent Power Module，智慧功率模組）原型；而針對5G通訊GaN／SiC（碳化矽）磊晶片，則預計2023年第一季完成客戶驗證，量產5G微基站通訊用晶片。

鴻鎵科技GaN磊晶技術源自日本電信集團NTT-AT。今年參與台灣國際半導體展，展出內容除了呈現氮化鎵磊晶核心技術之外，同時也展出鴻鎵科技在GaN功率元件、電源、馬達等相關應用的研發成果與成功案例。

在電源應用方面，鴻鎵科技展出對應38W至120W快充電源及200W路燈電源應用方案，可提供客戶快速設計並驗證電源產品；針對快充電源65W，由鴻鎵科技提供GaN FET，經上市公司電源大廠環隆科技生產，已成功打入日本市場，產品於今年10月開始出貨。

鴻鎵科技表示，GaN FET應用於大W數電源模組，正與日本大廠進行90W～120W GaN FET路燈電源開發，進軍越南市場及南美洲市場。另外，資料中心伺服器GaN FET電源模組開發專案也積極洽談中。

在GaN IPM方面，可以將相同馬力馬達控制器尺寸縮小及效率提升，在同等條件下馬達使用GaN IPM可創造e-Bike及無人機更好的效率及續航力。鴻鎵科技預計於2023年第一季推出正式氮化鎵IPM的產品。

鴻鎵科技指出，除了氮化鎵電源產品，也佈局在綠能減碳氮化鎵應用產品。發展初期主要佈局650V中壓電源應用市場，目前也積極開發1200伏電動車應用的氮化鎵功率元件，預計未來3年內會具有涵蓋高中低電壓氮化鎵產品，成為具有最完整產品應用於氮化鎵電源及綠能產品應用的領導廠商。

文章出處：工商時報